12月21日，存储芯片领军企业三星宣布，其利用12纳米级制程工艺成功开发出16Gb DDR5 DRAM，并在最近与AMD完成了兼容性测试。据悉这款产品是业界最先进的高性能且低能耗的DDR5 DRAM。三星计划从明年开始批量生产，并向数据中心和人工智能等领域客户供货。
DDR5作为最新的高带宽电脑存储器规格，目前在DRAM市场受到的关注度越来越高。据了解，与DDR4相比，DDR5将提供两倍以上的有效带宽，有助于缓解每个核心的带宽紧张难题，可进一步推动CPU内核数量的增加，使计算能力逐年提高。继DDR5 DRAM成为英特尔“Alder Lake”第12代处理器的标准配置之后，AMD也宣布其7000系列处理器将支持DDR5内存，并已于9月27日正式上市。AMD表示，该平台将不再支持DDR4，只支持DDR5产品，这无疑将进一步扩大DDR5内存的需求。
DDR5似乎已经成为导致DRAM竞争激烈的一根“导火线”。围绕EUV光刻等DRAM领域的先进技术，三星、美光等领军企业始终保持着你追我赶的态势，不断推动DRAM领域迎来新的发展潮流。
12月19日，美光宣布，与AMD在奥斯汀建立联合服务器实验室，以减少服务器内存验证时间。目前美光适用于数据中心的DDR5内存和第四代AMD EPYCTM（霄龙）处理器均已出货。
三星作为业界的龙头老大，坐拥着DRAM40%以上的市场份额，自然也在加紧研究DDR5。此次他们推出的16Gb DDR5 DRAM所取得的技术突破是通过使用一种新的高介电（high-k）材料来增加电池电容，以及改进关键电路特性的专利设计技术来实现的。结合先进的多层EUV光刻技术，这款产品拥有三星最高的DDR5 Die密度，可使晶圆生产率提高20%，功耗有望节省约23%，最高支持7.2Gbps的运行速度，这意味着它可以在一秒钟内处理两部30GB超高清电影。12月22日，三星表示，为了抢占逐渐扩大的DDR5市场，计划从明年开始批量生产该产品，并向客户供货。
三星电子高级副总裁兼DRAM产品与技术负责人Jooyoung Lee表示："三星12nm级DRAM将成为推动整个市场广泛采用DDR5 DRAM的关键因素。凭借卓越的性能和能效，我们希望新款DRAM能够成为下一代计算、数据中心和AI驱动系统等领域更可持续运营的基础。"
