三星计划新增至少10台EUV光刻设备,旨在扩大晶圆代工与DRAM产能

来源:中国电子报、电子信息产业网许子皓2022-12-27

12月27日,据韩国媒体报道,存储芯片龙头企业三星计划将在明年,扩大其位于韩国平泽市的最大芯片制造厂-P3工厂的产能。据记者了解,该工厂还将根据代工合同增加4纳米芯片产能,计划明年新购至少10台EUV光刻机。

众所周知,当前DRAM市场正处于下行期。TrendForce表示,DRAM价格自年初以来就一路走跌,下半年合约价每季跌幅更超过10%,需求市场的严峻,很多厂商都选择降低产能。12月21日,美国存储芯片巨头美光宣布,计划裁员10%,以应对消费电子产品和芯片需求走软。SK海力士曾表示,为应对市场环境,其资本支出将保持灵活。

三星作为该领域的龙头老大,今年第三季度在全球DRAM市场保持第一的位置,但市场份额有所下降。根据市场研究公司Omdia的数据,今年第三季度全球DRAM销售额为175.48亿美元,较上一季度的249.84亿美元下降29.8%。三星第三季度的DRAM市场份额为40.6%,比上一季度的43.4%下降了2.8%。

但三星不仅不打算削弱内存产出,还准备逆势而行,计划明年增加P3工厂的DRAM设备,扩大其DRAM存储芯片所需的12英寸晶圆产能,预计每月可生产7万片12英寸晶圆,截至今年第三季度,三星电子的整体DRAM晶圆月产量为66.5万片。

此外,该工厂还将根据代工合同增加4纳米芯片产能,计划明年新购至少10台EUV光刻机,目前数量为40台。

在技术研发方面,其利用12纳米级制程工艺成功开发出16Gb DDR5 DRAM,并在最近与AMD完成了兼容性测试。据悉这款产品是业界最先进的高性能且低能耗的DDR5 DRAM。三星表示,为了抢占逐渐扩大的DDR5市场,计划从明年开始批量生产,并向数据中心和人工智能等领域客户供货。

三星电子高级副总裁兼DRAM产品与技术负责人Jooyoung Lee表示:"三星12nm级DRAM将成为推动整个市场广泛采用DDR5 DRAM的关键因素。凭借卓越的性能和能效,我们希望新款DRAM能够成为下一代计算、数据中心和AI驱动系统等领域更可持续运营的基础。

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