10月31日，三星电子公布了第三季度财报，数据显示，公司第三季度营收为67.40万亿韩元 (约合人民币3653亿元)，同比下降约12%，但公司净利润达5.5万亿韩元，远超此前预期的2.52万亿韩元，同比降幅从第二季度的86%下降至40%，盈利情况有所改善。
存储芯片业务呈现反弹迹象据三星电子公开消息，此次业绩表现超出预期的主要原因一是智能手机新品和高端显示产品的销售量增加，二是半导体业务部门（DS部门）的亏损收窄。财报显示，三星电子DS部门这一季度的亏损为3.75万亿韩元，低于前一季度亏损的4.36万亿韩元。亏损收窄的主要原因是三星电子此前选择了减产策略。三星电子作为存储芯片的主要供给方之一，在全球半导体产业周期性调整的环境下，其存储芯片业务的波动对DS部门影响极大。在第一季度财报中，DS部门出现了亏损达4.58万亿韩元，同比亏损了13.03万亿韩元。在巨大的亏损压力面前，三星电子在上半年针对DRAM和NAND两种存储器决定分别减产20%和30%，以期将仍有富裕的库存调整至供需平衡的状态
当下游企业库存逐渐消化后，存储可能迎来了反弹的曙光。三星电子曾于本月10日传出消息称，其9月已与客户（包括小米、OPPO及谷歌）签署了内存芯片供应协议，DRAM和NAND闪存芯片价格较之前合同价格上调10%-20％。半导体行业专家张先扬告诉《中国电子报》记者：“NAND涨价，从供给端看，是三星电子NAND Flash大幅控产策略发挥积极效果；从需求端看，目前终端厂商已处于去库存的后期，第四季度存储需求市场已表现出复苏态势。”简言之，存储市场供过于求的态势在三星电子等企业坚持减产的策略下有所改善。“参考以往的周期大多如此。‘周期’诞生的主要原因不仅是实际需求大量增加，还是需求和供给的时间错位。”半导体行业专家盛凌海向《中国电子报》记者表示，“因为芯片生产时间较长，如果预测做得不完善就会导致供过于求，最终变成库存，从而导致新的需求减少。减产是消耗库存的一种手段，库存在清理殆尽后新需求重新浮现，供应链即可再次增加产能。”从第三季度的成绩来看，纵然三星电子无法恢复到一年前的水平，但是相较上一季度已经有了大幅提升。数据显示，NAND Flash第四季度合约价全面起涨，eMMC、UFS涨幅约10%-13%，此外Mobile DRAM合约价季涨幅预估也将扩大13-18%。三星电子表示，随着DRAM和NAND中高密度产品的客户库存调整已经完成，未来在个人电脑和移动设备上的需求将会有所改善。高端技术产品仍是发力点与传统服务器需求表现平平相比，面向人工智能等高端产品的服务器需求仍旧强劲。
三星电子表示，由于DDR5和HBM等用于AI技术的高端存储芯片需求持续高涨，DRAM产品在第二季度出货量已经超出预期。并且在第四季度，DS部门将会专注于高附加值产品的销售，例如HBM3等。一方面，DDR5和LPDDR5被倾注了更多关注。DDR5在带宽速度、单片芯片密度、工作频率上面相较DDR4有较大提升,更适用于数据中心、元宇宙、AI等新兴领域的服务器产品。半导体行业专家张先扬表示，DDR5和LPDDR5对比DDR4，其利润空间和溢价空间更大，三星电子正在逐渐改变产品结构，这也是改善营收的一种手段。另一方面，HMB的竞争进入白热化阶段。三星电子在名为Icebolt的HBM3产品后继续研发HBM3E，并命名为“Snowbolt”。在英伟达GPU与SK海力士的高带宽存储器深度合作的情况下，该产品可能会参与未来与海力士的竞争。同时，三星电子表示将于2024年继续扩大HBM3和HBM3E的生产和销售，以满足高性能和高带宽这方面的需求。
除此之外，作为标准的IDM企业，三星电子也正努力“多路并进”。在芯片设计上，三星电子曾于10月6日宣布将推出下一代旗舰处理器猎户座Exynos2400。该系列芯片因前代Exynos2200因功耗散热等问题导致市场表现不及预期，使得2300的研发计划暂时搁浅。此次Exynos2400的预热，被视作与高通在10月25日最新发布的骁龙8Gen3再次竞争，在三星电子未来将推出的S系列移动设备上，也将采用交替搭载的方式来观察二者在全球市场上的表现。
代工业务方面，三星电子表示其基于GAA工艺的3nm晶圆已开始大规模生产。此前，率先应用台积电3nm工艺的苹果iPhone，散热问题难以解决，其原因在于台积电3nm所使用的三面栅FinFET结构（鳍式场效应晶体管）导致短沟道效应无法有效控制漏电现象。在头部代工厂商突破4nm制程之后，三星电子当前所使用的四面环绕式GAA架构可能会成为保证能耗比的重要技术，但是当前3nm所传出的仅有60%左右的良率问题仍需三星电子等代工厂商严肃对待。