2月10日，苏州东微半导体股份有限公司（股票简称：东微半导；股票代码：688261）将正式登陆上交所科创板。公开资料显示，东微半导是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，其产品专注于工业及汽车相关等中大功率应用领域。公司凭借优秀的半导体器件与工艺创新能力，集中优势资源聚焦新型功率器件的开发，是国内少数具备从专利到量产完整经验的高性能功率器件设计公司之一，并在应用于工业级领域的高压超级结、中低压SGT功率器件、IGBT芯片领域实现了国产化替代。东微半导依托对器件结构和工艺的创新凸显产品的领先性，在国内众多功率半导体厂商中独树一帜。
专注工业及汽车市场，人均产值超千万元
近年来，碳中和、碳达峰、新能源汽车、5G和云计算等新技术应用需求迎来了爆发性增长，而功率半导体是在上述应用中实现电能转换的核心基础元器件。公开信息显示，东微半导的业务大多来自于工业级和汽车相关应用。业内周知，相对于消费电子市场，工业及汽车市场对芯片的性能和品质要求更高，存在着较高的技术壁垒。在功率器件领域，应用于新能源汽车的芯片基本被进口芯片品牌垄断，仅极少数国内芯片供应商能够进入上述领域，而东微半导便是其中的佼佼者。经过多年验证，2021年公司产品开始批量进入比亚迪新能源车，成功进军车载芯片市场。
招股书披露，东微半导预计2021年度营业收入为7.72亿元至8.03亿元，同比增长150%至160%；预计2021年度归属于母公司所有者的净利润为1.32亿元至1.53亿元，同比增长377%至453%；预计2021年度扣非后的净利润为1.27亿元至1.47亿元，同比增长522%至620%。2021年公司业绩暴增的主要原因是受益新能源汽车充电桩、通信电源以及光伏逆变器的需求暴增。
招股书显示，截至2021年6月30日东微半导的研发人员占比46%，按其员工数推算，预计人均产值超过1000万元，约是国内芯片设计行业人均产值的5倍，属于典型的技术密集型芯片设计高科技公司。
打造技术领先优势 产品获得高度认可
作为国内领先的高性能功率器件厂商，东微半导自成立以来，就对半导体功率器件核心技术的发展持续跟踪并深入调研，进行持续的研发创新，确保公司的产品迭代能够紧跟行业发展趋势，亦满足客户终端产品的创新需求。这为公司业务开展及未来新业务的拓展打下了坚实的基础。
高压超级结MOSFET是东微半导的王牌产品，也是其功率分立器件领域中占比最大的产品，高压超级结MOSFET器件具有高频、易驱动、功率密度高等特点，应用领域非常广泛，涵盖通信、汽车电子、工业控制、光伏、储能、智能电网、消费电子等领域。东微半导自成立以来积极投入对高压超级结MOSFET产品的研发，并得到了华为、比亚迪、特锐德、通用电气、视源股份、英飞源、英可瑞、高斯宝、金升阳、雷能、美的、创维、康佳等全球知名客户的认可，取得良好的市场口碑。
2016年4月14日，人民日报刊登了东微半导的高压超级结MOSFET在充电桩用高压高速核心半导体器件领域首次实现国产化的报道，确定了东微半导在充电桩功率器件领域“国产第一芯”的地位。
招股书显示，东微半导最先进的高压超级结产品OSG65R017HT3F的导通电阻为14mohm，与国际领先品牌英飞凌最小的导通电阻15mohm处于相似水平，而公司产品的650V耐压要高于英飞凌的600V耐压，综合性能优势明显。对于MOSFET而言，导通电阻是一个重要的性能参数，该数值越小，MOSFET工作时的功率损耗越小，也越能体现公司的技术创新能力。
值得一提的是，东微半导于2016年提出的超级硅系列产品性能更为突出，OSS60R190FF型号的优值（FOM）为2.53Ω·nC，优于全部国际品牌在相同平台下临近规格的优值，包括英飞凌最新一代产品IPDD60R190G7。
此外，东微半导还开发出原创Tri-gate IGBT，实现批量出货。招股书指出，东微半导的IGBT产品通过优化器件内部的载流子分布，提高了电流密度，在不提高饱和压降Vce,sat的情况下实现了较低的关闭损耗Eoff。比如，公司的低饱和压降系列650V75A芯片OST75N65HSZF，可以在Eoff相对于OST75N65HZF基本不变的情况下（0.9mJ），将饱和压降Vce,sat典型值降低到了1.50V，性能处于国际领先水平。由于采用创新器件结构，东微半导的IGBT的电流密度大幅提高，其芯片面积进一步缩小，突破了传统IGBT的电流密度水平，直接消除了多年以来国产IGBT与进口IGBT芯片之间的技术代差。目前，Tri-gate IGBT（TGBT）产品已在光伏逆变、储能、充电桩模块、电机驱动等领域批量出货。
招股书显示，此次东微半导登陆科创板募集资金主要是投向超级结与屏蔽栅功率器件产品升级及产业化项目、新结构功率器件研发及产业化项目、研发工程中心建设项目、科技与发展储备资金等。随着募投项目的实施，公司将进一步提升超级结、IGBT芯片等功率芯片的性能，并且开拓第三代半导体功率器件市场。
