10月19日，荷兰光刻机巨头ASML公布了第三季度财报，财报显示，其净销售额为58亿欧元（约合410.2亿元人民币），毛利率为 51.8%，净收入为17亿欧元（约120.2亿元人民币），其净预订额更是达到了89亿欧元（约629.4亿元人民币），创造了历史新高。ASML预计第四季度净销售额在61亿欧元（约431.4亿元人民币）至66亿欧元（约466.7亿元人民币）之间，毛利率约为49%，预计全年销售额为211亿欧元（约1492.1亿元人民币）。
成本激增，厂商无力承受
此前就有消息称，ASML准备在明年向客户交付首台High-NA EUV光刻机。台积电表示将在2024年购买ASML的High-NA EUV光刻机，英特尔同样也已下单，谁将拿到第一台High-NA EUV光刻机还是个悬念。
但台积电总裁魏哲家此前在其第三季度财报的法说会上宣布，将全年的资本支出下调至360亿美元，主要原因在于台积电将持续面临半导体设备的交付挑战。
据记者了解，全新一代High NA EUV光刻机的售价预计将会超过3亿美元，是传统EUV光刻机售价的三倍左右，再加上High-NA EUV光刻机对于光源的需求大幅提升，耗电量也将从1.5兆瓦提升到2兆瓦，让台积电等厂商倍感压力。台积电目前已经安装了超80台EUV光刻机，此前就因不堪电费的重负，已经关闭了4台EUV光刻机，还计划将在2023年上调先进工艺的代工价格，减轻财务负担。
此外，对于High-NA技术之后的Hyper-NA技术，ASML的首席技术官Martin van den Brink表示，因为技术难度的大幅提升，导致Hyper-NA设备的制造和使用成本都高得惊人，且不一定能真正投入生产。因此，High-NA技术很可能将成为EUV光刻技术的终点。
北京半导体行业协会副秘书长朱晶对此表示，未来更先进的制程工艺很可能没有大规模的增量市场作为支撑，像是手机，PC和数据中心等市场的增量规模，都难以支撑Hyper-NA EUV光刻机的巨量研发投入，也无法承担能源的消耗量，除非元宇宙，区块链这些新场景的渗透率快速提升，对先进工艺的需求增量快速增加，不然，High-NA光刻技术很可能是EUV光刻的结局。
EUV之后还有什么？
种种迹象，让越来越多的企业和大学都在想方设法绕道而行，目前已经有多项技术脱颖而出。
例如，9月21日，美国原子级精密制造工具的纳米技术公司Zyvex Labs发布公告，已推出世界上最高分辨率的光刻系统“ZyvexLitho1“，其基于STM扫描隧道显微镜，使用的是EBL电子束光刻方式，可以制造出0.7纳米线宽的芯片，相当于2个硅原子的宽度，是当前制造精度最高的光刻系统。目前，Zyvex Labs已经开始接受订单，6个月内就可出货。
此外还有多电子束直写光刻机（MEB）、定向自组装技术（DSA）以及纳米压印技术（NIL）等技术。MEB被广泛应用于掩膜的制造，分辨率可达到2纳米，未来将被用于在晶圆上直接刻画图形而不借助掩膜版。DSA则利用两种聚合物材料的定向生长进行加工，对于材料的控制要求高，生长缺陷大，目前还不能真正用于生产，但可兼顾分辨率极高的加工速度需求。
日本佳能从2017年就开始与铠侠、大日本印刷公司等半导体企业合作研发NIL的量产技术。目前已成功掌握15纳米量产技术，铠侠已经将NIL技术应用到了15nm NAND闪存器上，正在进行15纳米以下技术研发，有望在2025年推出采用NIL技术的5nm芯片，耗电量可压低至EUV生产方式的10%，设备投资也将降低至40%。
近日，佳能表示，将投资超500亿日元（约合24.6亿元人民币），在日本栃木县宇都宫市新建半导体设备工厂，占地面积约7万平方米，主要增产光刻设备，建成后预计产能将提高2倍。这也是佳能21年来首次扩产半导体光刻机设备，今年的目标是销售180台光刻设备，将比2021年增加约30%，可以看出佳能也在努力抢占光刻机的市场份额。
打破质疑，ASML地位依旧稳固
这不禁让大众对ASML的前景产生担忧，但ASML此次公布的第三季度财报，可以说是打破了民众的顾虑，ASML依旧深受厂商的追捧。ASML总裁兼首席执行官Peter Wennink表示：“第三季度净销售额高于预期，89亿欧元(约合630.6亿元人民币)的第三季度的预订量中，其中38亿欧元(约合269.2亿元人民币)是EUV光刻机，包括高数值孔径系统。ASML预计第四季度净销售额在61亿欧元（约431.4亿元人民币）至66亿欧元（约466.7亿元人民币）之间。ASML预计研发成本约为8.8亿欧元(约合62.3亿元人民币)，SG&A成本约为2.65亿欧元(约合18.8亿元人民币)。2022年，预计全年收入为211亿欧元(约合1495亿元人民币)，毛利率接近50%。“
对于新型光刻系统是否会威胁到EUV光刻的统治地位，赛迪顾问集成电路产业研究中心一级咨询专家池宪念表示：“短期内并不会“。因为这些新型设备的单个产品光刻的工作时间要在几小时到十几小时不等，工作效率方面还需进一步提高，因此不会快速取代EUV光刻机。
